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根据权利要求4所述的直拉式单晶生长炉，其特征在于所述气流 导向装置(20)的上端部(2-4)的外壁与该炉的保温筒(17)密封连接。6、 根据权利要求5所述的直拉式单晶生长炉，其特征在于所述气流 导向装置(20)各通气孔(2-3)与该炉的排气口 (13)通过通气管(19) 相连通。7、 根据权利要求6所述的直拉式单晶生长炉，其特征在于所述气流 导向装置(20)由石墨制成。DL-78型单晶炉的热场和减压工艺\1前言集成电路生产的发展一方面不断缩小元件尺寸，以提高集成度；另一方面不断扩大硅片直径以减少芯片的离故度和降低成本。相应地，作为集成电路基础材料的硅单晶生产也在不断地提高其技术质量指标和增大单晶锭的直径和长度，以满足电路的要求和降低自身的生产成本。在国外市场上，硅晶体直径大致每4～5年增长1时（25．4mm），相应地，生产投料重也由1公斤逐渐发展为3～5公斤、8～12公斤、15～刘公斤和朋～6O公厅等几个等级。在这发展中，有两个条件是相辅相成、共同进步的，这是单晶炉和拉晶工艺。为了配合di76．Zmm器件生产线的发展，我所研制了国内台15～30公斤的DL。78型单晶炉［‘］，并在该单晶炉上研究了48Omm硅单晶的控制工艺［‘］。在控制大直径硅单晶的过程中，涉及的面比较广，尤其是从我国原有1公斤、th3orum级的基础上跳跃到12公斤、680mm硅单晶的拉制工艺，需要研究讨论的问题很多，例如，热场的设计、减压工艺的设计与调整
